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无线和射频半导体
CGHV1F025S参考图片

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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Single SOT-23
1:¥4.9946
10:¥3.9211
100:¥2.9719
500:¥2.5312
3,000:¥1.6611
参考库存:46983
无线和射频半导体
射频接收器 Industrial RF DATA CONTROL Receiver
1:¥22.2045
10:¥21.8994
25:¥18.5207
100:¥17.7523
4,000:¥17.7523
参考库存:22080
无线和射频半导体
RFID应答器 I.CODE HS READER
1:¥128.8652
10:¥118.4918
25:¥113.565
100:¥100.118
参考库存:6662
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
1:¥861.0713
10:¥807.2833
25:¥788.3784
50:¥769.5526
参考库存:6409
无线和射频半导体
射频放大器 Die Sales
2:¥617.6354
6:¥597.7361
10:¥585.8259
26:¥561.9264
参考库存:2126
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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