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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	E-Band Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	71 GHz to 86 GHz
P1dB - 压缩点	13 dBm
增益	21 dB
工作电源电压	3 V
NF—噪声系数	3.6 dB
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	22 dBm
工作电源电流	50 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC8325
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RA69	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 10-1000MHz NF 4.5dB Gain 24dB GaAs	1:¥2,114.6368 10:¥2,036.3391	参考库存:4389
EZR32LG230F256R63G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 256 kB M3, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU	1:¥48.7934 10:¥46.104 25:¥44.7254 50:¥43.3355	参考库存:5296
TGA2624-CP	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 9-10GHz 16W GaN Power Amplifier	1:¥3,012.128 25:¥2,443.512	参考库存:4368
HMC504LC4B	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp SMT, 14 - 27 GHz	1:¥526.58 5:¥509.6074 10:¥499.3809 25:¥464.4187	参考库存:4495
MRFE6VP5600HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H	1:¥1,431.5292 5:¥1,399.6406 10:¥1,370.9838 25:¥1,350.7681 50:¥1,301.6696	参考库存:4547