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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Medium Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	81 GHz to 86 GHz
P1dB - 压缩点	17.5 dBm
增益	22 dB
工作电源电压	4 V
NF—噪声系数	-
工作电源电流	80 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC-AUH317G
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	9 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	10
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LET9045STR	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package	600:¥237.6616	参考库存:48603
D1213UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE	100:¥325.7225 250:¥318.0385	参考库存:48608
F1162BNBGI8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	上下转换器 Dual RF Down Converting Mixer	2,500:¥60.9296	参考库存:48613
CS230014-CZZR	Cirrus Logic	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL IC General Purpose PLL LCO	4,000:¥23.7413	参考库存:48618
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