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无线和射频半导体
PXAC201602FC-V1-R250参考图片

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PXAC201602FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：51,376(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥597.1259
149281.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
增益
17.7 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1880 MHz to 1920 MHz , 2010 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC201602FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LTC5555IUFD#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 1.5GHz to 7GHz PRGM GAIN DWNCONV MXR
1:¥122.5598
10:¥111.192
25:¥104.5024
50:¥100.6604
参考库存:2088
HTRC11001T/03EE,11
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID HITAG READER
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
2,500:¥12.4526
参考库存:27160
ADF4169CCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 13.5GHz Fast Ramp Direct Mod FracN PLL
1:¥144.8434
10:¥131.4755
25:¥123.5542
50:¥118.9438
参考库存:2522
RFFM4200TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.412 - 2.484 GHz 26dBm, 34 dB
1:¥40.8043
250:¥37.4256
500:¥32.657
1,000:¥27.1991
2,500:¥21.8203
参考库存:14059
HMC460LC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 SMT, lo Noise amp, DC - 20 GHz
1:¥1,067.85
5:¥1,048.4818
10:¥1,017.4407
25:¥981.3259
参考库存:2146

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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