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无线和射频半导体
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LET9060

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
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数量单价合计
400
¥340.3221
136128.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
增益
17.2 dB
输出功率
60 W
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
工作频率
1 GHz
系列
LET9060
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，LET9060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JN5161/001,518
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU IEEE802.15.4Wireless Microcontroller
4,000:¥13.9103
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参考库存:49880

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