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无线和射频半导体
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PXAC182908FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
15 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC182908FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1001UK
Semelab / TT Electronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175HMz SE
1:¥431.8408
10:¥381.1264
25:¥343.859
50:¥331.7906
参考库存:49776
RFSA2013SR
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 50-6000MHz VCA
100:¥31.3462
参考库存:49781
STAC2943
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:49786
CC2564NSRVMT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 Orca QFN BT + BLE
1:¥56.7825
10:¥51.3246
25:¥47.5617
100:¥42.5671
250:¥40.4201
参考库存:49791
BLW85
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:49796

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