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无线和射频半导体
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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数量单价合计
250
¥983.3938
245848.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
优势价格，A3G22H400-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR35APE6327HTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:13934
CY23EP09SXI-1H
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB IND
1:¥227.4464
5:¥216.6888
10:¥210.3834
25:¥193.3317
参考库存:1706
SI4705-D60-GU
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FM receiver with RDS, short antenna capable
1:¥103.1238
10:¥101.2028
25:¥99.3496
50:¥97.4286
参考库存:2723
SI4455-B1A-FM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器 +13/-116 dBm sub-GHz transceiver
1:¥13.7521
10:¥13.447
25:¥13.221
50:¥12.9837
参考库存:9065
HMC516LC5
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 9 - 18 GHz
1:¥394.3474
5:¥382.3581
10:¥370.4479
25:¥358.4586
参考库存:2192

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