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无线和射频半导体
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CGHV59070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
输出功率
76 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5.9 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，CGHV59070F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMP1307-003LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Anode
1:¥10.2943
10:¥9.2208
25:¥7.9891
100:¥7.2207
3,000:¥4.2714
参考库存:12584
ADF4153BRUZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
参考库存:2101
BGA622H6820XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
参考库存:10833
BFU530AVL
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
10,000:¥0.9379
参考库存:47095
F1951NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 6Bit, 31.5dB Max .5dB Step Attenuator
1:¥51.0195
10:¥45.5616
25:¥41.0303
50:¥39.1884
参考库存:4352

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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