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无线和射频半导体

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LET9045TR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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数量单价合计
600
¥237.6616
142596.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，LET9045TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1190ALP6NE
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 Wideband Dual-Dwn convtr/PLL/VCO MCM
1:¥239.9668
5:¥226.8362
10:¥221.3783
25:¥198.9365
参考库存:1936
MAAM-011258-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥21.2892
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥10.6785
参考库存:11763
EFR32MG1P233F256GM48-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, dual band, 256 kB, mesh, BLE, SRI,19.5 dBm, QFN-48
1:¥59.3928
10:¥56.1723
25:¥54.4773
50:¥52.8614
参考库存:3845
CGH27030F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
1:¥699.6282
参考库存:2142
ADMV1014ACCZ
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 High Band Point-to-Point Downconverter
1:¥1,018.13
5:¥999.6884
10:¥970.105
25:¥935.6061
参考库存:1994

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    50万现货SKU

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