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无线和射频半导体
A3G18H500-04SR3参考图片

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A3G18H500-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥1,060.6971
265174.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15.4 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935351522128
单位重量
3.306 g
商品其它信息
优势价格，A3G18H500-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF154
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥3,513.3508
参考库存:3532
MASWSS0180TR-3000
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-2.5GHz ISO 35dB IL .7dB Max.
1:¥28.7359
10:¥23.1311
100:¥21.0519
250:¥19.0518
3,000:¥13.221
参考库存:6109
SKY13348-374LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-6.0GHz SPDT IL .6dB @ 2.5GHz
1:¥6.9156
10:¥6.2376
25:¥5.3901
100:¥4.859
3,000:¥2.8702
参考库存:67936
TGA2216-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 .3-3GHz 10W Gain 21dB GaN
1:¥1,075.76
25:¥860.608
100:¥683.876
参考库存:3638
BFP 450 H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:15045

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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