F1420NLGI8详细信息_F1420NLGI8相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-24
类型	High Gain/High Linearity
工作频率	700 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	23.2 dBm
增益	17.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	4.5 dB
测试频率	1100 MHz
OIP3 - 三阶截点	42 dBm
工作电源电流	105 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
系列	F1420
封装	Reel
商标	IDT
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	1.5 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Zero-Distortion

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PCF7938XA/CAAB3800	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 IMMOBILE XPONDER IC	1:¥39.7308 10:¥33.8096 100:¥29.2783 250:¥27.8206	参考库存:22749
BGA7350,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 50 MHz to 250 MHz high linearity Si variable gain amplifier; 24 dB gain range	1:¥49.6409 10:¥42.1829 100:¥36.5781 250:¥34.6571 1,500:¥24.973	参考库存:10496
TGA2975-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB	1:¥1,037.34 25:¥791.452 100:¥607.036	参考库存:3163
CLRC66301HN,551	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 Contactless readr IC IC	1:¥70.2295 10:¥63.4721 25:¥60.4776 100:¥52.5563	参考库存:10055
MRFE6VS25GNR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G	1:¥230.6782 5:¥228.2939 10:¥212.7677 25:¥203.2418 500:¥164.98	参考库存:6907