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无线和射频半导体
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PTRA093302FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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50
¥768.40
38420
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
17.25 dB
输出功率
330 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 768 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTRA093302FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC829LP6GE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL + VCO 2700-4200MHz
1:¥162.2906
5:¥153.3749
10:¥149.6798
25:¥134.5491
参考库存:34237
AD9901KPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Ultrahigh Spd Phase/ Freq Discriminator
1:¥65.7773
10:¥59.1668
25:¥55.6299
50:¥52.3303
参考库存:3134
RN142GT2R
ROHM Semiconductor
无线和射频半导体
PIN 二极管 HIGH FREQUENCY
1:¥3.2318
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.61472
参考库存:40011
TGF3020-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:3403
HMC695LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 x4 Active mult, 11.4 - 13.2 GHz Output
1:¥275.0872
5:¥260.0243
10:¥253.7302
25:¥228.0566
参考库存:3135

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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