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无线和射频半导体
PTFB213208FV-V2-R0参考图片

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PTFB213208FV-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:43,896(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,281.0019
64050.095
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB213208FV-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 2.4GHz TRANSMITTER ONLY
1:¥31.5835
10:¥28.3517
100:¥23.2102
250:¥21.8203
参考库存:26471
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6GHz IL .6dB Iso 21dB @5.5GHz
1:¥10.7576
10:¥9.605
25:¥8.2942
100:¥7.5371
3,000:¥4.4522
参考库存:14599
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC Fundamentl mix , 16 - 30 GHz
1:¥448.2032
5:¥434.6093
10:¥421.0041
25:¥407.478
100:¥377.5895
200:¥366.7528
参考库存:1191
无线和射频半导体
上下转换器 EVAL BOARD
1:¥5,186.926
参考库存:1093
无线和射频半导体
射频放大器 Amplifiers Sample Pack
2:¥2,322.5681
6:¥2,289.7529
10:¥2,224.3598
26:¥2,109.8682
参考库存:1110
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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