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无线和射频半导体
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D5002UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-50V-175MHz SE
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
87 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D5002UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SX1230I066TRT
Semtech
无线和射频半导体
射频发射器 CMOS RF TRANSMITTER
1:¥24.747
10:¥19.9784
100:¥18.1365
250:¥16.4415
3,000:¥11.4469
参考库存:6145
SKY65367-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM TX Pout >30dBm
1:¥26.894
10:¥23.9786
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100:¥19.6733
3,000:¥12.1362
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SPF5122Z
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz SSG 12.2dB NF .65dB GaAs
1:¥40.0359
25:¥30.6569
100:¥23.9786
250:¥19.8993
3,000:¥13.673
参考库存:66099
MC100LVEL40DWG
ON Semiconductor
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 3.3V/5V ECL Diff Phase Freq. Detector
1:¥88.7502
10:¥81.6086
25:¥78.2186
100:¥68.93
参考库存:2951
HMC939ALP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 attenuator
1:¥793.4521
5:¥767.8576
10:¥752.4896
25:¥721.8327
参考库存:1628

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