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无线和射频半导体
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CGHV59350F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
输出功率
450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
24.26 mm
工作频率
5900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
C-Band Radar HEMT
宽度
23.01 mm
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
15
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV59350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MASW-004102-12760G
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 200-180000MHz -65C +125C Iso 50dB
25:¥238.5882
50:¥220.915
100:¥204.5526
参考库存:51037
MMT20303HT1
NXP / Freescale
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衰减器 MMT20303H/HVQFN16///REEL 7 Q2 NDP
1,000:¥26.9731
2,000:¥25.9674
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EFR32MG12P332F1024GL125-BR
Silicon Labs
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RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
2,500:¥67.6192
参考库存:51047
CG2H40120F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
100:¥2,165.8145
参考库存:51052
MADP-017015-13140P
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 1-6000MHz .32pF -55C +125C
3,000:¥31.8095
参考库存:51057

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