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无线和射频半导体
PD85035STR1-E参考图片

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PD85035STR1-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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库存:42,891(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85035STR1-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
7,500:¥2.5538
参考库存:38797
无线和射频半导体
射频检测器 Directional Bridge w/ Integ. RMS Detecto
1:¥210.8467
5:¥203.7842
10:¥196.4844
25:¥187.0263
参考库存:1424
无线和射频半导体
RFID应答器 16kB EEPROM Dual INT 400 kHz IC2 13.56MHz
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
4,000:¥4.0906
参考库存:39766
IDT
无线和射频半导体
衰减器 7-Bit 0.25dB WideB 31.5dB Attenuator
1:¥57.2458
10:¥52.4772
25:¥47.6408
50:¥45.2565
2,500:¥30.962
参考库存:13273
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Ultra Low Power SoC 51 Bump WLCSP
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
5,000:¥27.7415
参考库存:25825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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