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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-3
类型	HBT MMIC Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 500 MHz
P1dB - 压缩点	20.7 dBm
增益	19.5 dB
工作电源电压	4.9 V
NF—噪声系数	2.8 dB
测试频率	500 MHz
OIP3 - 三阶截点	39.5 dBm
工作电源电流	90 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
开发套件	SBF5089ZPCK1
输入返回损失	18 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	0.8 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC765LP6CETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Synth w/VCO, 7.8-8.8GHz	500:¥415.8626	参考库存:49632
MAX3520ETP+G2Z	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Docsis 3 Cable Upstream Amplifier	1:¥31.8886 10:¥30.1258 25:¥24.0464 50:¥22.8938	参考库存:49637
MAX19985AETX+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	上下转换器 High-Gain 700MHz to 1GHz Downconv	2,500:¥100.5813	参考库存:29910
HMC1058-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 71-86GHz SHP mix	2:¥828.5612 6:¥801.8254 10:¥785.8472 26:¥753.8004	参考库存:49644
A2T26H160-24SR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	250:¥1,028.5825	参考库存:49649

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