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无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMP1340-004LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Cathode
1:¥4.9946
10:¥4.4296
100:¥3.4013
250:¥2.7685
3,000:¥1.9436
参考库存:31160
HMC1055LP2CE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPST, 0.5-3GHz
1:¥40.115
10:¥36.0357
100:¥29.5834
250:¥28.0466
参考库存:5803
AF0603C07ECAC7
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 7dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
参考库存:6275
CY7B994V-2BBI
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 10 IND Programable
1:¥442.3724
5:¥429.8407
10:¥410.1674
25:¥395.6469
参考库存:6362
VRF151
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:5924

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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