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产品分类

无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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库存:52,886(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格,AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥82.4448
10:¥74.5348
50:¥71.077
100:¥61.698
参考库存:2506
无线和射频半导体
射频混合器 IC IF Receive Path
1:¥62.0822
10:¥55.8672
25:¥52.5563
50:¥49.4036
1,500:¥33.8096
参考库存:3718
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.9GHz Gain 16dB 802.11a/n/ac NF1.5dB
1:¥9.0626
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
3,000:¥3.4691
参考库存:22605
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:1537
无线和射频半导体
衰减器 DC-2GHz IL .3dB Atten. Range 15dB
1:¥6.6105
10:¥5.1528
100:¥3.8985
500:¥3.3222
3,000:¥2.1809
参考库存:23684
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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