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无线和射频半导体
RFFM8504TR7参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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RFFM8504TR7

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频前端 4.9GHZ TO 5.85GHZ 17.5dBm
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库存:52,466(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥9.605
24012.5
5,000
¥7.8422
39211
10,000
¥5.989
59890
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频前端
RoHS
类型
Wi-Fi
工作频率
4.9 GHz to 5.85 GHz
NF—噪声系数
6 dB
工作电源电压
3.6 V
工作电源电流
270 mA
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
商标
Qorvo
增益
29 dB
开发套件
RFFM8504PCK-410
最小工作温度
- 30 C
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
2500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,RFFM8504TR7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥43.0304
10:¥38.42
25:¥34.578
100:¥31.5044
参考库存:3498
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
1:¥1,350.0788
5:¥1,319.953
10:¥1,292.9121
25:¥1,273.849
50:¥1,227.5981
参考库存:2375
无线和射频半导体
射频接收器 Precision, Ultra-Fast, Low IQ Overvoltage Protector with OVLO 5.2V
1:¥11.1418
10:¥10.5316
25:¥8.3733
50:¥7.9891
2,500:¥5.0511
参考库存:14377
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2454
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-3.0GHz DPxDT GaAs IL .3dB Iso 28dB
1:¥6.3054
10:¥5.6726
25:¥4.9042
100:¥4.4296
3,000:¥3.6612
参考库存:19036
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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