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无线和射频半导体
PTFB210801FA-V1-R0参考图片

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PTFB210801FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:51,879(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥383.6576
19182.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB210801FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M3, +20 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
1:¥41.1885
10:¥38.8833
25:¥37.7307
50:¥36.5781
参考库存:3855
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with integrated ARM Cortex M0, memories and peripherals 24 GPIOs in QFN40 and 0.4mm pin pitch package
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:1362
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs Sub Harmonic Mix Chip, 33 - 42 GHz
50:¥245.5038
100:¥229.6725
250:¥221.7625
参考库存:1264
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:1166
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Cathode
1:¥5.989
10:¥5.2658
100:¥4.0454
250:¥3.2883
3,000:¥2.3165
参考库存:1083
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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