SI1003-E-GM2R详细信息_SI1003-E-GM2R相关参数PDF

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：51,819(价格仅供参考)

数量	单价	合计
2,500	¥38.3409	95852.25

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Silicon Laboratories
产品种类	射频微控制器 - MCU
RoHS	是
核心	8051
工作频率	240 MHz to 960 MHz
数据总线宽度	8 bit
程序存储器大小	32 kB
数据 RAM 大小	4352 B
最大时钟频率	25 MHz
ADC分辨率	10 bit
工作电源电压	0.9 V to 3.6 V
最大工作温度	+ 85 C
封装 / 箱体	LGA-42
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
程序存储器类型	Flash
系列	SI1003
商标	Silicon Labs
数据 Ram 类型	RAM
接口类型	I2C, SPI, UART
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
ADC通道数量	1
定时器数量	4 Timer
处理器系列	Si100x
产品类型	RF Microcontrollers - MCU
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	0.9 V

商品其它信息

优势价格，SI1003-E-GM2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2089-6408-00	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 2-10 GHz IL 1.80dB VSWR 1.70:1	10:¥7,628.291	参考库存:50427
MHT2025GNR1	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP	500:¥211.9993	参考库存:50432
D1202UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-400MHz SE	50:¥446.5195 100:¥439.683	参考库存:50437
MF1P4141DA6/02J	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 CLHW	17,500:¥6.3732	参考库存:50442
MF0ICU2101DUD,005	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 MIFARE Ultralight C Wafer	55,000:¥1.01474	参考库存:50447