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无线和射频半导体
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ST9060C

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
90 V
增益
17.3 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
工作频率
1.5 GHz
系列
ST9060C
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
170 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.9 V
商品其它信息
优势价格，ST9060C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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