EFR32FG14P231F256IM32-BR详细信息_EFR32FG14P231F256IM32-BR相关参数PDF

无线和射频半导体

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制造商:Silicon Labs
批号:新批次
描述:RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Silicon Laboratories
产品种类	RF片上系统 - SoC
RoHS	是
类型	Wi-Fi
核心	ARM Cortex M4
工作频率	Sub-GHz
最大数据速率	38.4 kb/s
输出功率	20 dBm
灵敏度	- 126.2 dBm
工作电源电压	1.8 V to 3.8 V
接收供电电流	8.4 mA
传输供电电流	35.3 mA
程序存储器大小	256 kB
封装 / 箱体	QFN-32
封装	Reel
高度	0.85 mm
长度	5 mm
程序存储器类型	Flash
系列	EFR32FG14
宽度	5 mm
商标	Silicon Labs
数据 RAM 大小	32 kB
数据 Ram 类型	RAM
接口类型	I2C, SPI, UART
安装风格	SMD/SMT
输入/输出端数量	16 I/O
ADC分辨率	12 bit
数据总线宽度	32 bit
最大时钟频率	40 MHz
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
定时器数量	3 Timer
产品类型	RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	EFR32

商品其它信息

优势价格，EFR32FG14P231F256IM32-BR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
QPC6762SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC SP6T 5-2000MHz 75 Ohm	1:¥8.0682 25:¥7.5258 100:¥6.9947	参考库存:5073
VRF161MP	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥858.6079 2:¥831.9512 5:¥831.7139 10:¥804.899	参考库存:4365
MRF6VP3450HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S	1:¥1,433.2242 5:¥1,401.2565 10:¥1,372.5884 25:¥1,352.3049 50:¥1,303.2064	参考库存:29744
AFT18H357-24SR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V	1:¥1,321.1056 5:¥1,291.6013 10:¥1,265.1706 25:¥1,246.503 150:¥1,174.2734	参考库存:29749
74HCT4046AD,112	Nexperia	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP	1:¥6.3732 10:¥5.4466 100:¥4.181 500:¥3.6951	参考库存:10577