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无线和射频半导体
A2V09H300-04NR3参考图片

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A2V09H300-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥718.9173
179729.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA, 1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.7 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935320809528
单位重量
3.097 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H300-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY13314-374LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6.0GHz SPDT GaAs IL .45dB @2.5GHz
1:¥9.831
10:¥8.8366
25:¥7.6614
100:¥6.9156
3,000:¥5.7065
参考库存:25005
CY2305SXC-1HT
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB COM
1:¥22.7469
10:¥20.3626
25:¥18.3625
100:¥16.6788
2,500:¥10.8367
参考库存:10187
HMC406MS8GE
Analog Devices / Hittite
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射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 5 - 6 GHz
1:¥125.5543
10:¥115.4182
25:¥110.6496
100:¥97.5077
参考库存:5284
BFP 420 H6801
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:29126
ADL5350ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Single Ended Passive Mixer
1:¥46.33
10:¥41.3354
25:¥37.1883
50:¥35.5046
3,000:¥22.5096
参考库存:14063

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