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无线和射频半导体
PTFB090901EA-V2-R0参考图片

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PTFB090901EA-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:46,850(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥329.3385
16466.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB090901EA-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 TOROWEAP IC 60K
1:¥81.7555
10:¥74.9981
25:¥68.1616
100:¥61.3138
2,000:¥44.3412
参考库存:7606
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 GPS Low Noise Amp GaAs MMIC
1:¥10.9158
10:¥9.831
25:¥9.1417
50:¥8.2264
参考库存:11258
无线和射频半导体
RFID应答器 Ultra small UHF RFID Integrated antenna
1:¥6.7574
10:¥5.424
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:79220
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:30879
无线和射频半导体
射频放大器 DC-2000MHz Gain 19dB NF <2dB
1:¥25.199
25:¥21.4361
100:¥18.2834
250:¥14.5205
1,000:¥9.4468
参考库存:10472
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    50万现货SKU

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