HMC1114PM5ETR详细信息_HMC1114PM5ETR相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-32
类型	Power Amplifier
技术	GaN
工作频率	2.7 GHz to 3.8 GHz
增益	32 dB
工作电源电压	28 V
测试频率	3.2 GHz to 3.8 GHz
工作电源电流	150 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC1114
封装	Reel
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	25 dB
Pd-功率耗散	24 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF951	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥34.578 10:¥28.8941 25:¥25.9674 50:¥23.052	参考库存:4161
BGS 15AN16 E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC CMOS SWITCH	1:¥8.1473 10:¥6.9495 100:¥5.3449 500:¥4.7234 3,000:¥3.2996	参考库存:11628
LMX2531LQ1910E/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Hi Perf Freq Synthesizer System	1:¥89.8237 10:¥82.5239 25:¥78.2977 100:¥69.7662 250:¥66.3084	参考库存:3610
ARF463AP1G	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥277.0082 5:¥264.5556 10:¥256.2614 25:¥235.5146	参考库存:3127
HMC960LP4ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 VGA, Dual Differential	1:¥148.3012 10:¥136.3119 25:¥130.7071 100:¥115.1018 500:¥107.2709	参考库存:5164