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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HSR5参考图片

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MRFE6VP5600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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库存:57,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,028.4243
1028.4243
5
¥1,008.4459
5042.2295
10
¥975.1787
9751.787
25
¥933.9111
23347.7775
50
¥921.0856
46054.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935319677178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4174
无线和射频半导体
射频检测器
1:¥134.244
10:¥121.8705
25:¥112.9548
50:¥106.4234
1,000:¥78.6819
参考库存:8696
无线和射频半导体
射频放大器 20.5DBM 19.5DB RF GenPurp Amp
1:¥19.7524
10:¥17.8314
25:¥15.9104
100:¥14.3736
1,000:¥8.8366
参考库存:20283
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-2000MHz 75Ohm SP4T
1:¥7.2207
100:¥6.6896
参考库存:6430
无线和射频半导体
RF 开关 IC Single Control SP2T Switch
1:¥4.9946
10:¥4.4296
100:¥3.4013
250:¥2.7685
3,000:¥1.9436
参考库存:34927
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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