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无线和射频半导体

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SD2932W

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
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5
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10
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10942.807
25
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26782.695
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tube
配置
Dual
工作频率
250 MHz
系列
SD2932
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD2932W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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