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无线和射频半导体
AFV10700H-1090参考图片

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AFV10700H-1090

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
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7538.23
5
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10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.2 dB
输出功率
700 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780H-4L
工作频率
1030 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
526 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935358817598
商品其它信息
优势价格，AFV10700H-1090的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TQM879028TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 33dB 1/2 Watt
1:¥114.1865
25:¥87.4394
100:¥68.3085
250:¥56.5565
2,500:¥39.1093
参考库存:16197
ATWINC3400A-MU-Y
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect Chipset (WINC3400) - SmartConnect Chipset (WINC3400)
1:¥74.693
10:¥62.2404
25:¥56.8616
参考库存:6189
CGH40006S
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:7076
CY22150FZXC
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 1-PLL Clk Syn COM
1:¥67.1559
10:¥61.5511
25:¥55.935
50:¥53.3247
参考库存:19628
QPA0163LTR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 100-1300MHz NF 2.6dB Gain 16.8dB
1:¥15.5262
25:¥11.752
100:¥9.1417
250:¥7.458
3,000:¥5.8421
参考库存:7565

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