HMC788ACPSZ-EP-R7详细信息_HMC788ACPSZ-EP-R7相关参数PDF

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-6
类型	RF Gain Block
技术	GaAs
工作频率	0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	18 dBm
增益	12 dB
工作电源电压	4.5 V to 5.5 V
NF—噪声系数	7 dB
测试频率	6 GHz to 10 GHz
OIP3 - 三阶截点	30 dBm
工作电源电流	87 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC788
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
开发套件	EV1HMC788ALP2
输入返回损失	9 dB
Pd-功率耗散	0.76 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NRF24AP1	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 1.9-3.6V 2.4GHz XCVR W/EMB ANT PROTOCOL	1:¥58.2402 10:¥53.4038 25:¥48.5674 100:¥43.6406	参考库存:30970
ATMEGA2560R231-CU	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU ATmega 2560V-8CU AT86RF231-ZU	1:¥151.4539 10:¥137.7018 25:¥127.3962 50:¥121.9496	参考库存:6088
CG2176X3	CEL	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC	1:¥13.673 10:¥10.7576 100:¥8.6106 500:¥6.8817	参考库存:6510
NJG1152KA1-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Wide Band LN Amp GaAs MMIC 20mA	1:¥3.6838 10:¥3.3335 25:¥2.825 50:¥2.5312 4,000:¥2.2487	参考库存:25637
HMC536MS8GETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC 3 Watt SPDT T/R Switch SMT, DC - 6 GHz	1:¥49.8669 10:¥44.8723 100:¥36.725 250:¥34.8831 500:¥31.2784	参考库存:6054