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无线和射频半导体
A2T18S260W12NR3参考图片

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A2T18S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存:55,868(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,369.2097
342302.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.7 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L-4
封装
Reel
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935313167528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
优势价格,A2T18S260W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 NT2L1011G0DUD/UNCASED///WAFER SAWN FFC NDP NO MARK
400,000:¥0.50737
参考库存:52216
无线和射频半导体
RF 开关 IC EP GaAs MMIC SP4T Non-Reflective,DC-20
500:¥753.7213
参考库存:52221
无线和射频半导体
射频检测器 Log Amp, lo Dyn ring 100-2700MHz
194:¥35.1882
250:¥33.5836
500:¥30.6569
1,000:¥26.668
参考库存:52226
无线和射频半导体
射频混合器 Sub Harmonic mix SMT, 24 - 34 GHz
16:¥381.2846
25:¥353.8482
100:¥331.0222
250:¥319.6544
参考库存:52231
无线和射频半导体
射频放大器 hi IP3, lo Noise amp, 0.2 - 4.0 GHz
187:¥36.5781
250:¥34.8831
500:¥31.8095
1,000:¥27.7415
参考库存:52236
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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