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无线和射频半导体
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BLV33

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库存:54,043(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥898.1014
898.1014
10
¥824.109
8241.09
25
¥739.585
18489.625
50
¥655.061
32753.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
12.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-147
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
132 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV33的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
调谐器 1002MHz 7.5dB 3.3V
4,000:¥10.9836
8,000:¥10.2943
参考库存:48855
无线和射频半导体
射频检测器 Pb-free ThinSOT RF Power Detector & Controller
2,500:¥11.3678
5,000:¥11.0627
参考库存:48860
无线和射频半导体
射频接收器
2,500:¥46.1831
参考库存:48865
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,452.8119
参考库存:48870
无线和射频半导体
RFID应答器 MF1PH4101DA4/PLLMC//02/REEL 13 Q1 NDP
17,500:¥6.4975
参考库存:48875
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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