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无线和射频半导体
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LET9120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
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1
¥1,392.5668
1392.5668
5
¥1,359.0736
6795.368
10
¥1,325.3318
13253.318
25
¥1,306.7433
32668.5825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18 dB
输出功率
120 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Bulk
配置
Dual
工作频率
1.6 GHz
系列
LET9120
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
商品其它信息
优势价格，LET9120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NB2304AI2DG
ON Semiconductor
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锁相环 - PLL 3.3V Quad Output Zero Delay Buffer
1:¥10.4525
10:¥8.9157
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LXMSANAA19-181
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10:¥14.9838
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500:¥9.9892
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MAX19996ETP+
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1:¥167.8954
10:¥159.5221
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50:¥252.8827
100:¥236.5881
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1:¥73.4613
10:¥66.3875
25:¥61.472
100:¥55.0197
2,500:¥40.1828
参考库存:28756

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