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无线和射频半导体

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A2T20H160W04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥658.903
658.903
5
¥646.0662
3230.331
10
¥624.7883
6247.883
25
¥598.3576
14958.94
250
¥536.5014
134125.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
增益
17 dB
输出功率
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.88 GHz to 2.025 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935313076528
单位重量
3.211 g
商品其它信息
优势价格，A2T20H160W04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMA044AA
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 6 GHz-18 GHz GaAs pHEMT
50:¥228.373
100:¥216.9148
200:¥210.1574
参考库存:4777
AG303-86G
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6000MHz 20.5dB Gain@900MHz
1:¥23.8995
25:¥18.2834
100:¥14.2945
250:¥11.8311
3,000:¥9.2999
参考库存:29274
AT86RF215IQ-ZU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频收发器 Dual Band I/Q Radio, 48QFN, Tray
1:¥37.4256
10:¥36.8832
25:¥34.0356
参考库存:4776
HMC451LP3ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz
1:¥222.1467
5:¥209.9992
10:¥204.9368
25:¥184.19
500:¥158.9006
参考库存:7688
MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:5090

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    50万现货SKU

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