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无线和射频半导体
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HMC589AST89ETR

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库存:53,374(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥27.8206
13910.3
1,000
¥23.5153
23515.3
2,500
¥22.2836
55709
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT89-4
类型
HBT MMIC Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
DC to 4 GHz
P1dB - 压缩点
18 dBm
增益
16 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4.5 dB
测试频率
3 GHz to 4 GHz
OIP3 - 三阶截点
29 dBm
工作电源电流
82 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC589A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
隔离分贝
23 dB
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC589AST89ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
100:¥42.9513
250:¥39.4935
500:¥36.0357
1,000:¥31.3462
参考库存:43921
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF4CE Target, SoC, 192kB flash, 12kB RAM
2,000:¥26.8149
参考库存:43926
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE
50:¥392.7315
100:¥386.5052
参考库存:43931
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥438.7564
参考库存:43936
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175HMz SE
50:¥479.5607
100:¥466.3397
参考库存:43941
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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