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无线和射频半导体
PD20010TR-E参考图片

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PD20010TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
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数量单价合计
1
¥139.5437
139.5437
10
¥128.3228
1283.228
25
¥123.0231
3075.5775
100
¥108.3444
10834.44
600
¥96.4342
57860.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2 GHz
系列
PD20010-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD20010TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:1167
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 30V 100MA
1:¥3.2318
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69156
参考库存:66079
无线和射频半导体
射频前端 2.4-GHZ 射频前端
1:¥21.5152
10:¥19.2891
100:¥15.8313
250:¥14.8256
2,500:¥10.7576
参考库存:2976
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Five Output Zero Delay Buffer
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
参考库存:9308
无线和射频半导体
射频接收器 300MHz to 450MHz, 3.0V to 3.6V, 6mA, <10kbps, ASK Receiver with Auto-Poll, RSSI
1:¥15.5262
10:¥15.2889
25:¥14.2945
100:¥12.8368
2,500:¥12.8368
参考库存:13520
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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