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无线和射频半导体
QPD1025参考图片

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QPD1025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
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1
¥6,170.252
6170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
28 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
22.5 dB
输出功率
1.862 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
685 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 PN5180A0ET/TFBGA64//C2/TRAY SINGLE NDP BAKEABLE
1:¥55.2457
10:¥49.946
25:¥47.6408
100:¥41.3354
参考库存:3726
无线和射频半导体
射频放大器 2.1-2.2GHz SSG 28.6dB
1:¥91.1345
10:¥82.4448
25:¥75.9134
50:¥71.6194
2,500:¥52.7145
参考库存:2423
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:31835
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC Forum Type 2 Tag compliant IC
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:22517
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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