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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
类型	RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	18 GHz
P1dB - 压缩点	15 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	6.5 dB
OIP3 - 三阶截点	27 dBm
工作电源电流	64 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC606G
封装	Gel Pack
频率范围	2 GHz to 18 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	22 dB
Pd-功率耗散	1.32 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	871 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EZR32WG230F128R68G-B0	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 128 kB M4, +20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU	260:¥39.5726 520:¥37.3465 1,040:¥36.8041	参考库存:53120
SI4055-B1A-FMR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 TX SubG	2,500:¥9.605	参考库存:53125
QPD1823	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V	250:¥623.3306	参考库存:53130
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