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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-24
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	14 GHz to 27 GHz
P1dB - 压缩点	15 dBm
增益	19 dB
工作电源电压	4 V
NF—噪声系数	2.2 dB
OIP3 - 三阶截点	24.5 dBm
工作电源电流	90 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC504
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	1.9 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFV10700HSR5	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz	1:¥2,707.3783 5:¥2,544.2515 50:¥2,544.2515	参考库存:2378
TRF7970ARHBT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 Fully Int 13.56MHz RFID/NFC Xcvr	1:¥40.567 10:¥36.499 100:¥29.8094 250:¥28.0466 500:¥25.4363	参考库存:25960
QPA2705SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.5-2.7GHz 5 Watt PAE 41.6%	1:¥415.7835 25:¥336.7852 100:¥272.782	参考库存:3117
ST25DV04K-JFR6D3	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 4-Kbit Dynamic NFC/RFID tag NFC Forum type V with I2C interface, fast transfer mode and energy harvesting	1:¥8.6106 10:¥7.3111 100:¥5.6274 500:¥4.972	参考库存:19714
BGA713N7E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RF SILICON MMIC	1:¥8.2264 10:¥6.9947 100:¥5.3675 500:¥4.746 7,500:¥3.2092	参考库存:39671