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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-4
类型	HBT Gain Block
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 5 GHz
P1dB - 压缩点	20 dBm
增益	19 dB
工作电源电压	8 V
NF—噪声系数	3.25 dB
OIP3 - 三阶截点	34 dBm
工作电源电流	82 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC480
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	0.536 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMA044AA	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 6 GHz-18 GHz GaAs pHEMT	50:¥228.373 100:¥216.9148 200:¥210.1574	参考库存:4777
AG303-86G	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-6000MHz 20.5dB Gain@900MHz	1:¥23.8995 25:¥18.2834 100:¥14.2945 250:¥11.8311 3,000:¥9.2999	参考库存:29274
AT86RF215IQ-ZU	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Dual Band I/Q Radio, 48QFN, Tray	1:¥37.4256 10:¥36.8832 25:¥34.0356	参考库存:4776
HMC451LP3ETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz	1:¥222.1467 5:¥209.9992 10:¥204.9368 25:¥184.19 500:¥158.9006	参考库存:7688
MRFE6VP8600HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V	1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094	参考库存:5090