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无线和射频半导体
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PTRA097008NB-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250
¥1,018.13
254532.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
600 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
增益
19 dB
输出功率
630 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
PG-HB2SOF-6-1
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.65 V
商品其它信息
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