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无线和射频半导体
RFM00U7U(TE85L,F)参考图片

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RFM00U7U(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
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10.2152
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628.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
13 dB
输出功率
200 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
520 MHz
系列
RFM00
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥554.943
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1:¥12.3735
10:¥12.2153
25:¥10.2943
100:¥9.9892
2,500:¥9.5259
参考库存:48393

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