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无线和射频半导体
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D5011UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE
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数量单价合计
1
¥243.2777
243.2777
10
¥214.8469
2148.469
25
¥194.9476
4873.69
50
¥173.5793
8678.965
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D5011UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
70:¥82.603
100:¥80.2187
250:¥73.1562
500:¥68.4667
参考库存:51436
无线和射频半导体
PIN 二极管
10:¥569.6104
25:¥551.2479
50:¥543.869
100:¥514.5229
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2,500:¥15.5262
5,000:¥15.142
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6,000:¥26.668
参考库存:51451
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:51456
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    保证原装正品

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