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无线和射频半导体
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AFT27S012NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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1
¥126.0967
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10
¥115.9493
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25
¥111.192
2779.8
100
¥97.971
9797.1
1,000
¥79.9136
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
154 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
20.9 dB
输出功率
1.26 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5W
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
728 MH to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935347325515
单位重量
280 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LTC4400-2EMS8#TRPBF
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