您好！欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
无线和射频半导体
PD84006-E参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

PD84006-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：7,898(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥115.9493
115.9493
10
¥106.5816
1065.816
25
¥102.1972
2554.93
100
¥90.061
9006.1
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD84006-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC433ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 8 GHz
暂无价格
参考库存:46344
HMC1022ACHIPS
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 0.01-50GHz 0.1W DIST AMPLIFIER (T
暂无价格
参考库存:46349
HMC494LP3ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:46354
RFFM8204SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi 802.11b/g/n BT
100:¥14.2945
200:¥13.1419
参考库存:46359
HMC492LP3ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:46364

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话：13148740189

手机：13590238352

传真：0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址：赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们