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无线和射频半导体
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2SC5087YTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
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23.165
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128.82
1,000
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944.68
3,000
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
2SC5087
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
80 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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