HMC311LP3ETR详细信息_HMC311LP3ETR相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-32
类型	HBT Gain Block
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点	15.5 dBm
增益	14.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	4.5 dB
OIP3 - 三阶截点	32 dBm
工作电源电流	90.5 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC311
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	18 dB
Pd-功率耗散	0.59 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	188.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC1093-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 DB mix with integratedx4 LO mult	2:¥885.8861 6:¥869.8288 10:¥844.0874 26:¥814.1198	参考库存:51956
HMC1093	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 DB mix with integrated x4 LO mult	25:¥513.133 100:¥478.329	参考库存:51961
RF5622TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.4-2.5GHz 3.3V Gain 30dB	1:¥18.4416 250:¥16.9048 500:¥14.7578 1,000:¥12.2944 2,500:¥9.831 5,000:¥7.9891	参考库存:51966
TCC-303B-RT	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	调谐器 0TC33-002 BUMPED DIE WLCS	1:¥6.3732 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 3,000:¥2.5538	参考库存:51971
BFU550AVL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.6838 10:¥2.3843 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 10,000:¥0.52997	参考库存:51976