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无线和射频半导体
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HMC311LP3ETR

  • Analog Devices / Hittite
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  • 射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
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数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥74.5348
745.348
25
¥71.077
1776.925
100
¥61.698
6169.8
500
¥53.788
26894
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-32
类型
HBT Gain Block
技术
GaAs InGaP
工作频率
DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点
15.5 dBm
增益
14.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4.5 dB
OIP3 - 三阶截点
32 dBm
工作电源电流
90.5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC311
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
18 dB
Pd-功率耗散
0.59 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
188.600 mg
商品其它信息
优势价格,HMC311LP3ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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    保证原装正品

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