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STBV32-AP

  • STMicroelectronics
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  • 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
系列
STBV32
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，STBV32-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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