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无线和射频半导体
HMC470ALP3ETR参考图片

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HMC470ALP3ETR

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库存:4,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.8402
80.8402
10
¥74.3088
743.088
25
¥71.2352
1780.88
100
¥62.7828
6278.28
500
¥58.4775
29238.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
衰减器
RoHS
封装 / 箱体
QFN-16
最大衰减
31 dB
最大频率
3 GHz
位数
5 bit
通道数量
1 Channel
阻抗
50 Ohms
最大 VSWR
-
衰减器步长
1 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
功率额定值
27 dBm
系列
HMC470A
技术
GaAs
类型
Digital Attenuator
商标
Analog Devices / Hittite
介入损耗
2 dB
安装风格
SMD/SMT
最小频率
DC
湿度敏感性
Yes
工作电源电压
5 V
产品类型
Attenuators
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC470ALP3ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 20-50GHz Double Balanced mix
25:¥567.4634
100:¥535.2697
参考库存:52316
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:52321
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 24 - 28 GHz
100:¥250.5775
200:¥241.9669
参考库存:52326
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:52331
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartMesh IP Manager-on-Chip, Eterna (QFN), 100 mote capacity, unprogrammed
1:¥244.193
25:¥195.3318
100:¥159.1379
250:¥155.601
500:¥149.612
参考库存:52336
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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