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无线和射频半导体
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MRF8372LF

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数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
800 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.2 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，MRF8372LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S8740180GT
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参考库存:46611

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